4 月21日消息 國星光電今日宣布,他們聯(lián)合華南理工大學聯(lián)合建立的廣東省半導體微顯示企業(yè)重點實驗室的最新研究成果發(fā)表在國際著名期刊《ACS Nano》。
據(jù)介紹,該成果最終成功突破了量子點LED器件的發(fā)光效率瓶頸,刷新了同類器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀錄,有望加快該新技術的商業(yè)化進程,并鞏固國星光電在Mini/Micro LED顯示器件領域的技術優(yōu)勢地位。
據(jù)稱,目前常用的硒化鎘、鈣鈦礦等量子點的光致發(fā)光效率已超過85%,高于傳統(tǒng)稀土熒光粉材料,然而封裝制成LED器件的發(fā)光效率普遍在50-130 lm/W(理論效率>200 lm/W),這一矛盾已困擾學界與行業(yè)多年。
因此, 國星光電提出直方通 孔復合量子點色轉換結構及其強化出光機制,利用濕法機械攪拌把量子點高效組裝于粒徑匹配的直方通孔結構,通孔結構被低折射率硅樹脂填充,所形成折射率差異可抑制熒光光子在通孔內部硅樹脂基材的傳播,顯著減少重吸收損耗。
得益于此,他們最終成功突破了量子點LED器件的發(fā)光效率瓶頸,獲得超過200 lm/W的同類器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀錄(經(jīng)CNAS認證第三方機構檢測)。
據(jù)了解,量子點色轉換技術是Mini/Micro LED、OLED以及LCD寬色域顯示的共性關鍵技術,在超清顯示、虛擬顯示等新興領域極具應用潛力。